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碳化硅单晶炉系统TDL85P
编号:SN20150801141615675
类别:碳化硅晶体生长炉
  • 产品概述
  • 规格参数
  • 服务支持

    设备用途
    主要用于半导体和LED行业绑定账号送38体验金 。采用中频感应加热方式,物理气相传输法生长优质光学晶体。


    设备组成
    本系统由沉积真空室绑定账号送38体验金 、感应加热台系统、进样室、自动送样系统、气路系统绑定账号送38体验金 、抽气系统、安装机台、真空测量及电控系统等部分组成。

     

    技术指标

     

    型号 

    TDL85P 

    炉内真空度

    极限真空

    9.0×10-5Pa

    拉伸机构运动时

    1.0×10-4Pa

    系统漏率

    停泵关机24小时后真空度≤5Pa

    炉体

    沉积室

    筒形立式结构绑定账号送38体验金 绑定账号送38体验金 ,尺寸Φ900×1000 mm

    进样室

    尺寸Ф300×300mm

    自动送样机构

    慢速档速率范围

    0.06~6㎜/h

    档速率范围

    ≥50㎜/min

    转速范围

    0~30rpm

    有效行程

    500㎜

    额定总功率

    35KW

    循环水用量

    3m3/h

    真空配置

    分子泵绑定账号送38体验金 、罗茨泵、机械泵、插板阀

    占地面积

    2700×1200×3000mm3(含电源)

     


     

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